Меню Рубрики

Тонкий полупроводник как пишется

Значение слова «полупроводник»

ПОЛУПРОВОДНИ́К, -а́, м. Физ. Вещество, которое по электропроводности занимает промежуточное место между проводниками и диэлектриками (изоляторами).

Источник (печатная версия): Словарь русского языка: В 4-х т. / РАН, Ин-т лингвистич. исследований; Под ред. А. П. Евгеньевой. — 4-е изд., стер. — М.: Рус. яз.; Полиграфресурсы, 1999; (электронная версия): Фундаментальная электронная библиотека

ПОЛУПРОВОДНИ’К, а́, м. (физ.). Вещество, плохо проводящее электричество. Дерево относится к полупроводникам.

Источник: «Толковый словарь русского языка» под редакцией Д. Н. Ушакова (1935-1940); (электронная версия): Фундаментальная электронная библиотека

полупроводни́к

1. физ. материал, электрические свойства которого в сильной степени зависят от концентрации в нём химических примесей и внешних условий ◆ На основе компьютерного моделирования продемонстрирована возможность появления осцилляций поперечного размера домена высокой концентрации свободных электронов при воздействии светового импульса на нелинейно поглощающий полупроводник. М. М. Логинова, В. А. Трофимов, «О возможности осцилляций поперечного размера домена высокой концентрации свободных электронов при воздействии короткого светового импульса на полупроводник», 2004 г. // «Журнал технической физики» (цитата из НКРЯ)

2. разг. радиодеталь, использующая полупроводники [1]

Делаем Карту слов лучше вместе

Привет! Меня зовут Лампобот, я компьютерная программа, которая помогает делать Карту слов. Я отлично умею считать, но пока плохо понимаю, как устроен ваш мир. Помоги мне разобраться!

Спасибо! Я стал чуточку лучше понимать мир эмоций.

Вопрос: ценовой — это что-то нейтральное, положительное или отрицательное?

Источник статьи: http://kartaslov.ru/%D0%B7%D0%BD%D0%B0%D1%87%D0%B5%D0%BD%D0%B8%D0%B5-%D1%81%D0%BB%D0%BE%D0%B2%D0%B0/%D0%BF%D0%BE%D0%BB%D1%83%D0%BF%D1%80%D0%BE%D0%B2%D0%BE%D0%B4%D0%BD%D0%B8%D0%BA

Полупроводник – это очень просто. Часть 1: Классификация.

Введение.

Все пользуются электроникой, но мало кто понимает, как она работает.

Мы живём в обществе, зависимом от науки и технологии, в котором никто ничего не знает ни о науке, ни о технологии. Карл Саган

Если для вас полупроводник это нечто такое:

то этот курс статей для вас. В нём мы разберёмся с полупроводниками, их классификацией и приборами на их основе.

Классификация.

Все вещества, по их способности проводить электрический ток, условно можно разделить на 3 группы: проводники , полупроводники и диэлектрики . Проводимость (способность вещества проводить электрический ток или, другими словами, величина обратная сопротивлению) выше всего у металлов, ниже всего у диэлектриков.

Для объяснения всех типов проводимости используют так называемую зонную теорию .

Зонная теория.

Всем нам известна старая добрая модель атома, в котором в центре находится ядро, несущее положительный заряд, а вокруг него кружат по различным орбитам электроны, несущие отрицательный заряд. Это модель атома Бора .

Электроны в атоме расположены на различных орбитальных уровнях, характеризующихся различной удаленностью от ядра и, соответственно, различной энергией связи электрона с ядром. Но так как твёрдое тело – это огромное скопление атомов, образующих кристаллическую решётку, то очевидно, что атомы будут влиять друг на друга и друг с другом взаимодействовать. Вследствие этого орбиты электронов претерпевают некоторую деформацию, что вызывает смещение энергетических уровней и электронов на них.

Другими словами электрон одного атома притягивается к ядру другого атома и отталкивается от его электронов.

С другой стороны, два электрона, в силу принципа Паули, не могут находиться на одной орбите в одном и том же энергетическом состоянии. Иначе говоря два любых электрона в любом случае находятся на несколько отличающихся друг от друга энергетических уровнях.

Принцип Паули говорит о том, что 2 электрона не могут быть в одинаковых состояниях на одном уровне. Представьте себе вечеринку девушек, которые все пришли в одинаковых нарядах. Они будут фыркать друг на друга и стараться разойтись подальше, чтобы друг с другом не взаимодействовать.

Таким образом можно сказать, что каждый энергетический уровень в атоме твёрдого тела “расщепляется” на множество подуровней, образуя энергетическую зону, в пределах которой возможно перемещение электронов. Электроны, находящиеся в такой зоне, обладают очень близкими энергиями. Электроны, которые находятся близко к ядру не могут перескочить к соседнему атому, так как все “нижние” орбиты полностью заполнены и на них нет свободного места.

Читайте также:  Как пишется транскрипция гусь

Зона, которая образованна внешним слоем электронной оболочки называется валентной . Этот слой, естественно, разделён на подуровни, так как мы находимся внутри твёрдого тела, в котором много взаимодействующих атомов. Внешняя оболочка у большинства веществ не заполнена и имеет притягательные вакантные места для электронов другого атома. В этом случае наблюдается потрясающая подвижность и электроны носятся от оболочки к оболочке.

Так как орбиты атома дискретны, то существуют значения энергии, которые электрон иметь не может. Совокупность этих энергий называется запрещённой зоной .

Если приложить внешнее напряжение, то электроны получат дополнительную энергию для преодоления запрещённой зоны и могу перейти в зону проводимости – первую незаполненную электронами зону.

Так как приложено внешнее напряжение, то электроны буду двигаться в одном направлении, образуя электрический ток .

Источник статьи: http://zen.yandex.ru/media/id/5b7ed756dff62a00aa6de2e4/poluprovodnik-eto-ochen-prosto-chast-1-klassifikaciia-5b7fad6e9e7a3400aa0e1bd5

О том что такое полупроводник и как он работает

Полупроводниками (seicomnductor) называют вещества, которые по способности проводить электрический ток занимают промежуточное положение между металлами (проводниками) и диэлектриками (изоляторами).

К классу полупроводников принадлежат многие из известных веществ. Ими могут быть как химически чистые вещества, так и различные соединения и даже сплавы некоторых металлов. По структуре эти вещества могут быть кристаллическими или аморфными, однако, как правило, для изготовления полупроводниковых приборов используют вещества с кристаллической структурой. Исходным материалом наиболее часто служит германий Ge или кремний Si, а также арсенид галлия GaAs – полупроводник, являющийся химическим соединением.

При качественном анализе механизма проводимости полупроводников обычно используется плоскостной моделью кристаллической решетки.

На (рис.39-а) показана модель решетки химически чистого полупроводника – германия, каждый атом которого имеет на внешней оболочке четыре валентных электрона. Например для атома I это электроны 1, 2, 3, 4. При образовании кристалла каждый валентный электрон в веществе начинает двигаться по орбите, окружающей не только свой атом, но и соседний. Таким образом, каждая соседняя пара атомов имеет общую пару электронов, движущихся по двум общим орбитам. Такая связь атомов называется ковалентной. В целом судя по представленной модели, каждый атом связан с соседними атомами восемью орбитами, по которым движутся четыре пары электронов. На (рис.39-а) эти связи изображены тонкими прямыми линиями. На примере для атома I и II общие электроны 1 и 5, а для атомов I и III – это электроны 2 и 9 и т.д.

В химически чистых полупроводниках при температуре абсолютного нуля свободных носителей зарядов нет. С повышением температуры валентные электроны приобретают дополнительную тепловую энергию и некоторые из них (электроны с наибольшими скоростями хаотического теплового движения) могут, разорвать связь с атомами и стать свободными носителями зарядов. Атом, потерявший электрон, становится положительно заряженным ионом. Эти ионы не являются носителями зарядов, так как они жестко связаны межатомными силами.

Читайте также:  Как пишется вместо того чтобы

При отрыве электрона от атома образуется так называемая дырка – разорванная валентная связь в атоме (рис.39-б). Дырке приписывается положительный заряд, равный по значению заряду электрона. Эта вакантная валентная связь может быть вновь заполнена электроном, оторванным от соседнего атома под действием электрического поля. При заполнении дырки электроном данный атом становится электрически нейтральным, а у соседнего атома, потерявший электрон, появляется дырка, которая, в свою очередь, также может быть заполнена электроном от следующего атома и т.д. Таким образом, процесс перехода электрона от нейтрального атома к соседнему атому с дыркой под влиянием положительной разности потенциалов можно представить как процесс перехода дырки от положительного иона к нейтральному атому, т.е. как будто условно-положительный заряд – дырка – движется в сторону, противоположную движению электрона.

Электропроводность, при которой электрон последовательно занимает дырку у рядом расположенного атома, т.е. в каждый момент времени в веществе преобладает “свободные” дырки, которые переходят от одного соседнего атома к другому, называется дырочной или электропроводностью p-типа (positive). Электропроводность, обусловленная движением свободных (избыточных) электронов между узлами кристаллической решетки, называется электронной или электропроводностью n-типа (negative).

Возникновение в полупроводнике свободных электронов и дырок при повышении температуры называется термогенерацией носителей зарядов, а процесс возвращения свободных электронов на место разорванной валентной связи – рекомбинацией носителей зарядов. При определенных условиях между этими двумя процессами устанавливается динамическое равновесие, т.е. концентрация дырок и электронов в заданном объеме становится постоянной, а их количество – одинаковым. Дырки и электроны в полупроводнике без примесей обеспечивают собственную электропроводность, которая складывается из электропроводности p-типа и n-типа. Последняя обычно преобладает, так как электроны более подвижны, чем дырки, оттого, что дырка может перемещаться только между соседними атомами. Концентрация носителей зарядов в чистых полупроводниках мала. Например, для германия при обычной температуре число свободных носителей зарядов составляет примерно 10-8 степени % от общего числа атомов (в металлах число свободных электронов примерно равно числу атомов). Поэтому удельная электропроводность полупроводников значительно меньше, чем у металлов. Появление дополнительных носителей зарядов в полупроводнике с повышением температуры и разрыв валентных связей приводят к уменьшению его сопротивления, а в металле с ростом температуры сопротивление обычно увеличивается. Уменьшение сопротивления полупроводника может быть вызвано также другими внешними факторами, например воздействие излучений. Но особенно сильно влияет на свойство полупроводников наличие примесей других веществ.

Как уже упоминалось выше, в полупроводниковых приборах практически не используются химически чистые полупроводники, а применяются главным образом полупроводники с примесями, добавление которых приводит к существенному увеличению числа носителей зарядов. Электропроводность таких полупроводников называется примесной.

Рассмотрим механизм образование зарядов, воспользовавшись снова плоскостной моделью кристаллической решетки. Если в четырехвалентный германий добавить пятивалентное вещество, например сурьму, то пятивалентный атом сурьмы четырьмя валентными электронами образует ковалентную связь с четырьмя соседними атомами германия, а пятый валентный электрон атома сурьмы остается “лишним” и может быть достаточно легко отделен от атома. Такие полупроводники обладают электропроводностью n-типа. Примеси, которые отдают исходному полупроводнику свои электроны, называют донорными.

Добавим в четырехвалентный германий трех валентный индий. В этом случае при образовании решетки трехвалентный атом индия для установления ковалентной связи с четырьмя соседними атомами германия оторвет один электрон от близлежащего атома германия. Атом индия приобретают отрицательный заряд, а на месте оторванного электрона возникает дырка. Такие примеси, добавление которых к полупроводнику приводит к появлению дырок, называют акцепторными (забирающими электроны), а полученный полупроводник с дырочной электропроводностью – полупроводником p-типа.

Читайте также:  Гугл число как пишется

В примесных полупроводниках концентрация носителей зарядов всегда превышает (в 100 раз и более) концентрация носителей зарядов в исходного вещества. Поэтому удельное электрическое сопротивление примесного полупроводника всегда значительно меньше, чем исходного химически чистого. Однако даже в примесном полупроводнике число носителей зарядов намного меньше числа атомов; они составляют не более 10-4 степени % от общего числа атомов.

Носители зарядов, преобладающие в данном полупроводнике, называют основными; носители зарядов, концентрация которых в данном полупроводнике меньше концентрация основных носителей, называют неосновными. Для полупроводника n-типа основные носители заряда – электроны, а неосновные дырки; для полупроводника p-типа основные носители – дырки, неосновные – электроны.

Если полупроводники подключить к источнику тока, носители заряда, имеющиеся в нем, начинают перемещаться направленно: дырки – к отрицательному полюсу, электроны – к положительному, т.е. возникают электронный и дырочный дрейфовые токи, образующий общий ток через полупроводник (рис.40).

Дырки перемещаются только в полупроводнике, причем только между соседними атомами. У положительного полюса дырка возникает за счет отрыва электрона от атома и ухода его во внешнюю цепь. Во внешней цепи ток образуется только за счет электронов проводимости. У отрицательного полюса дырка рекомбинирует с электроном, поступившим из внешней цепи.

При подаче на полупроводник p-типа напряжения подавляющая часть тока образована дырками – основными носителями. В полупроводнике с электронной проводимостью ток образуется главным образом электронами. При смене полярности напряжения изменяется также направление тока.

Направленное движение носителей зарядов может вызываться не только электрическим полем, но и разной их концентрацией в объеме вещества. Процесс направленного движения носителей зарядов, вызванный их неравномерной концентрацией, носит название диффузии носителей зарядов, а соответствующий ток называют диффузионным в отличие от дрейфового тока.

Источник статьи: http://pikabu.ru/story/o_tom_chto_takoe_poluprovodnik_i_kak_on_rabotaet_6217054

Как правильно пишется, ударение в слове «полупроводниковый»

Делаем Карту слов лучше вместе

Привет! Меня зовут Лампобот, я компьютерная программа, которая помогает делать Карту слов. Я отлично умею считать, но пока плохо понимаю, как устроен ваш мир. Помоги мне разобраться!

Спасибо! Я обязательно научусь отличать широко распространённые слова от узкоспециальных.

Насколько понятно значение слова натужный (прилагательное):

Синонимы к слову «полупроводниковый&raquo

Предложения со словом «полупроводниковый&raquo

Сочетаемость слова «полупроводниковый&raquo

Что (кто) бывает «полупроводниковым»

Значение слова «полупроводниковый&raquo

ПОЛУПРОВОДНИКО́ВЫЙ , –ая, –ое. Физ. Прил. к полупроводник. Полупроводниковое вещество. Полупроводниковое производство. (Малый академический словарь, МАС)

Отправить комментарий

Дополнительно

Значение слова «полупроводниковый&raquo

ПОЛУПРОВОДНИКО́ВЫЙ , –ая, –ое. Физ. Прил. к полупроводник. Полупроводниковое вещество. Полупроводниковое производство.

Предложения со словом «полупроводниковый&raquo

Первоначально технология изготовления полупроводниковых приборов была полукустарной.

Это могут быть магнитные домены либо полупроводниковые элементы в одном из двух состояний.

Корпорации Intel, постоянно совершенствовавшей свои полупроводниковые технологии, долгое время сопутствовал успех.

Синонимы к слову «полупроводниковый&raquo

Сочетаемость слова «полупроводниковый&raquo

Что (кто) бывает «полупроводниковым»

Морфология

Карта слов и выражений русского языка

Онлайн-тезаурус с возможностью поиска ассоциаций, синонимов, контекстных связей и примеров предложений к словам и выражениям русского языка.

Справочная информация по склонению имён существительных и прилагательных, спряжению глаголов, а также морфемному строению слов.

Сайт оснащён мощной системой поиска с поддержкой русской морфологии.

Источник статьи: http://kartaslov.ru/%D0%BA%D0%B0%D0%BA-%D0%BF%D1%80%D0%B0%D0%B2%D0%B8%D0%BB%D1%8C%D0%BD%D0%BE-%D0%BF%D0%B8%D1%88%D0%B5%D1%82%D1%81%D1%8F-%D1%81%D0%BB%D0%BE%D0%B2%D0%BE/%D0%BF%D0%BE%D0%BB%D1%83%D0%BF%D1%80%D0%BE%D0%B2%D0%BE%D0%B4%D0%BD%D0%B8%D0%BA%D0%BE%D0%B2%D1%8B%D0%B9

Adblock
detector